局部放電（簡(jiǎn)稱局放）是指僅使導(dǎo)體間的部分絕緣發(fā)生的放電現(xiàn)象，發(fā)生的位置距離導(dǎo)體可能很近，也有可能不是在導(dǎo)體的附近。造成局部放電的原因一般是絕緣體內(nèi)部或表面的場(chǎng)強(qiáng)畸變，通常局部放電波形是持續(xù)時(shí)間<1μs的高頻脈沖。電暈放電是局部放電的一種，它是在導(dǎo)體附近的介質(zhì)中發(fā)生的。并不是所有的局部放電都是電暈放電，局部放電還有其它表現(xiàn)形式。

局部放電經(jīng)常發(fā)生在固體的孔隙或者液體介質(zhì)的氣泡中，或者由于高壓電氣設(shè)備的氣體介質(zhì)、液體介質(zhì)或固體介質(zhì)中有尖的突起導(dǎo)致空間電場(chǎng)嚴(yán)重畸變。如果局部場(chǎng)強(qiáng)超過放電起始電壓，而且存在自由電子，則會(huì)發(fā)生電子崩?？赡苡捎诳涨槐诘谋谌?yīng)，或者由于在氣體介質(zhì)或液體介質(zhì)中傳播時(shí)的空間電荷效應(yīng)，這樣的電子崩止于局部放電。局部放電的過程是有局限的，而且具有暫態(tài)的性質(zhì)，在時(shí)空特性上具有微秒級(jí)或更短的時(shí)間持續(xù)。雖然局部放電持續(xù)時(shí)間很短，但是局部放電的高能帶電粒子與直接在導(dǎo)體附近的固體介質(zhì)或液體介質(zhì)相互影響，zui終可能導(dǎo)致分子的化學(xué)鍵斷裂、化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，燒燭絕緣材料。

重要的是，我們檢測(cè)得到的并不是真正的局部放電，它是局部放電在靠近導(dǎo)體或終端產(chǎn)生的電荷，或者甚至從更為復(fù)雜的角度，波從誘導(dǎo)電荷傳播到局部放電檢測(cè)器。在頻率更高時(shí)，分立元件這個(gè)概念并不一定總能有效的，而實(shí)際上分析這類問題時(shí)更多的采用偶極子模型或波激勵(lì)的概念。

長(zhǎng)時(shí)間作用下，高能帶電粒子與直接在導(dǎo)體附近的固體介質(zhì)或液體介質(zhì)相互影響可能會(huì)導(dǎo)致全部絕緣的介電性能而受到破壞，假如局部放電是連續(xù)發(fā)生的，則這種破壞將具有累積效應(yīng)，這種破壞實(shí)際上就是一種絕緣“運(yùn)行老化”。雖然造成絕緣老化的過程還有其它原因，但局部放電是引起介質(zhì)絕緣老化的一個(gè)zui主要原因。因此，在絕緣介質(zhì)中對(duì)局部放電進(jìn)行檢測(cè)和標(biāo)定是評(píng)定絕緣狀態(tài)的必然要求。